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V30100S-E3/4W
0.37
V30100S-E3/4W 数据手册 (2 页)
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V30100S-E3/4W 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
正向电压
0.78 V
热阻
2℃/W (RθJC)
正向电流
30 A
最大正向浪涌电流
250 A
正向电压(Max)
910 mV
正向电流(Max)
30 A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
工作结温
-40℃ ~ 150℃
工作结温(Max)
150 ℃

V30100S-E3/4W 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
10.54 mm
宽度
4.7 mm
高度
15.32 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃

V30100S-E3/4W 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
2 页 / 0.19 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
5 页 / 0.14 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
1 页 / 0.08 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
3 页 / 0.48 MByte

V30100SE34 数据手册

VISHAY(威世)
高压Trench MOS势垒肖特基整流器 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  V30100S-E3/4W  二极管, 肖特基, 30A, 100V, TO-220AB-3
Vishay Semiconductor(威世)
高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.39 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A
VISHAY(威世)
高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.39 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A
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