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V40120C-E3/4W
0.915
V40120C-E3/4W 数据手册 (3 页)
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V40120C-E3/4W 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
正向电压
0.71 V
热阻
1.8℃/W (RθJC)
正向电流
20 A
正向电流(Max)
40 A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
工作结温(Max)
150 ℃

V40120C-E3/4W 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.54 mm
宽度
4.7 mm
高度
15.32 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃

V40120C-E3/4W 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
3 页 / 0.13 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
5 页 / 0.12 MByte

V40120CE34 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.43 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A
Vishay Semiconductor(威世)
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Intertechnology
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