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VN10KN3-G-P013
0.54
VN10KN3-G-P013 数据手册 (5 页)
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VN10KN3-G-P013 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-92-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
7.5 Ω
功耗
1 W
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
输入电容值(Ciss)
60pF @25V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
1W (Tc)

VN10KN3-G-P013 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Ammo Pack
材质
Silicon
长度
5.21 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

VN10KN3-G-P013 数据手册

Microchip(微芯)
5 页 / 0.61 MByte
Microchip(微芯)
6 页 / 0.13 MByte

VN10KN3 数据手册

Supertex(超科)
Microchip(微芯)
Microchip(微芯)
晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.5 V
Microchip(微芯)
Microchip(微芯)
Supertex(超科)
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