VN10LP

￥ 2.048

VN10LP 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

描述:

VN10LP 袋装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

VN10LP 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

VN10LP 数据手册 (6 页)

2

4

6

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VN10LP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

270 mA

封装

TO-92-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

7.5 Ω

极性

N-Channel

功耗

625 mW

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

270 mA

输入电容值(Ciss)

60pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

625 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

VN10LP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

VN10LP 符合标准

VN10LP 数据手册

VN10LP 数据手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.22 MByte

VN10LP 其他数据使用手册

Diodes（美台）

183 页 / 0.63 MByte

VN10LP 产品设计图

Diodes（美台）

1 页 / 0.08 MByte

VN10LP 其他参考文件

Diodes（美台）

1 页 / 0.14 MByte

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