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VN2222LLRLRA
0.07
VN2222LLRLRA 数据手册 (4 页)
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VN2222LLRLRA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
150 mA
封装
TO-226-3
漏源极电阻
7.50 Ω
极性
N-Channel
功耗
400mW (Ta)
输入电容
60.0 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
150 mA
输入电容值(Ciss)
60pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
400 mW
耗散功率(Max)
400mW (Ta)

VN2222LLRLRA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

VN2222LLRLRA 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 0.07 MByte

VN2222 数据手册

Supertex(超科)
Microchip(微芯)
Supertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗,低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管,Microchip
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  VN2222LLG  晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V
Microchip(微芯)
Microchip(微芯)
ON Semiconductor(安森美)
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET 150毫安, 60伏 Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts
ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET 150毫安, 60伏 Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts
ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET 150毫安, 60伏 Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts
Supertex(超科)
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