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VN750PSTR-E
器件3D模型
1.339
VN750PSTR-E 数据手册 (27 页)
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VN750PSTR-E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
输出接口数
1 Output
输出电压
36 V
输出电流
15 A
供电电流
2 mA
功耗
4.2 W
输出电流(Max)
6 A
输入数
1 Input
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
4200 mW
电源电压
13 V
电源电压(Max)
36 V
电源电压(Min)
5.5 V

VN750PSTR-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.25 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

VN750PSTR-E 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
27 页 / 0.26 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
32 页 / 0.39 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte

VN750 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
高端驱动器 HIGH SIDE DRIVER
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  VN750B5-E  驱动器芯片, 高压侧, 5.5V-36V电源, 9A输出, 30µs延迟, P2PAK5
ST Microelectronics(意法半导体)
36 V 6 A 60 mΩ 驱动器 PPAK 表面贴装
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  VN750PT-E  驱动器芯片, 高压侧, 5.5V-36V电源, 9A输出, 30µs延迟, PPAK-5
ST Microelectronics(意法半导体)
36 V 6 A 60 mΩ 驱动器 P2PAK 表面贴装
ST Microelectronics(意法半导体)
IC,高侧电源开关,STMicroelectronics高侧开关可在电阻、电感和电容式接地负载中安全驱动高电流。 设计用于在恶劣的汽车环境中工作,它们需要坚固、低接通电阻电源开关和准确模拟电路,用于诊断、保护和控制功能。### 智能电源开关,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
高侧驱动器 High-side driver
ST Microelectronics(意法半导体)
功率电子开关 VN750SMPTR-E SO-8
ST Microelectronics(意法半导体)
高端驱动器 HIGH SIDE DRIVER
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