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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > ST Microelectronics(意法半导体) > VN808CM-32-E Datasheet 文档
VN808CM-32-E
12.717

VN808CM-32-E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
36 Pin
电源电压
10.5V (min)
封装
PowerSO-36
输出接口数
8 Output
输出电流
1 A
功耗
96 W
输出电流(Max)
1 A
输入数
8 Input
耗散功率(Max)
96000 mW
电源电压
24 V
电源电压(Max)
45 V
电源电压(Min)
10.5 V

VN808CM-32-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16 mm
宽度
11.1 mm
高度
3.3 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)

VN808CM-32-E 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
22 页 / 0.79 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.02 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.14 MByte

VN808CM32 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMicroelectronics智能电源开关 (IPS) 将控制截面的逻辑接口、驱动器、诊断和保护功能与高侧和高侧配置的功率级集成。### 电源和负载开关,Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。
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