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VNB28N04-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS VNB28N04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 51 V, 35 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

VNB28N04-E 数据手册 (11 页)

封装尺寸在9 页

典型应用电路图在8 页

原理图在5 页

VNB28N04-E 数据手册 (11 页)

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VNB28N04-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

输出接口数

1 Output

针脚数

3 Position

漏源极电阻

35 mΩ

极性

N-Channel

功耗

83 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

51 V

漏源击穿电压

42.0 V

连续漏极电流(Ids)

14.0 A

输出电流(Max)

19 A

工作温度(Max)

150 ℃

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VNB28N04-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

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VNB28N04-E 符合标准

VNB28N04-E 海关信息

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