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VNB35NV04 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

模拟开关芯片

封装:

TO-263-3

描述:

“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VNB35NV04 数据手册 (19 页)

原理图在1 页

VNB35NV04 数据手册 (19 页)

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VNB35NV04 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

40.0 V

额定电流

30.0 A

封装

TO-263-3

输出接口数

1 Output

输出电流

30 A

供电电流

0.1 mA

漏源极电阻

10.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

125 W

漏源击穿电压

70.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

35.0 A

输出电流(Max)

30 A

输出电流(Min)

30 A

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

40 ℃

耗散功率(Max)

125000 mW

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VNB35NV04 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VNB35NV04 符合标准

VNB35NV04 海关信息

VNB35NV04 概述

VNB35NV04 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.4 MByte

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