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VND10N06
0.33
VND10N06 数据手册 (25 页)
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VND10N06 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
10.0 A
封装
TO-252-3
输出接口数
1 Output
输出电流
6 A
漏源极电阻
300 mΩ
功耗
35 W
漏源击穿电压
60.0 V
连续漏极电流(Ids)
10.0 A
输出电流(Max)
6 A

VND10N06 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube

VND10N06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
25 页 / 0.57 MByte

VND10 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
ISO高侧智能功率固态继电器 ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
ST Microelectronics(意法半导体)
电源负载分配开关, 低压侧, 60 V输入, 10 A, 0.15 ohm, 1输出, TO-252-3
ST Microelectronics(意法半导体)
VND10N06 单通道 低边 自保护 60 V 10 A 0.3 Ohm 功率MOSFET-TO-252-3
ST Microelectronics(意法半导体)
ISO高侧智能功率固态继电器 ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
ISO高侧智能功率固态继电器 ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
电源开关 IC - 配电 40V 3.4A Hi-Side SSR
ST Microelectronics(意法半导体)
岗AUTOPROTECTED功率MOSFET fully autoprotected Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
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