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VND14NV04-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

开关电源

封装:

TO-251-3

描述:

“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VND14NV04-1 数据手册 (31 页)

封装尺寸在24 页 25 页 26 页 27 页 28 页 29 页

原理图在5 页

VND14NV04-1 数据手册 (31 页)

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VND14NV04-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

输出接口数

1 Output

输出电流

12 A

供电电流

0.1 mA

漏源极电阻

35.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

74 W

漏源击穿电压

40.0 V

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

输出电流(Max)

12 A

输出电流(Min)

12 A

输入数

1 Input

耗散功率(Max)

74000 mW

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VND14NV04-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VND14NV04-1 符合标准

VND14NV04-1 海关信息

VND14NV04-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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