VND14NV04-1-E

￥ 11.659

VND14NV04-1-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

TO-251-3

描述:

OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

VND14NV04-1-E 数据手册 (31 页)

封装尺寸在24 页 25 页 26 页 27 页 28 页 29 页

原理图在5 页

VND14NV04-1-E 数据手册 (31 页)

2

3

4

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VND14NV04-1-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

输出接口数

1 Output

输出电流

24 A

供电电流

0.1 mA

针脚数

3 Position

漏源极电阻

35.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

74 W

漏源击穿电压

40.0 V

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

输出电流(Max)

12 A

输出电流(Min)

12 A

输入数

1 Input

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

74000 mW

查看数据手册 >

VND14NV04-1-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

高度

7.2 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VND14NV04-1-E 符合标准

VND14NV04-1-E 海关信息

VND14NV04-1-E 数据手册

VND14NV04-1-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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VND14NV04-1-E 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 0.25 MByte

VND14NV041 数据手册

VND14NV04-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

VND14NV0413TR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

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