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VND14NV04-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

STMICROELECTRONICS VND14NV04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 55 V, 35 mohm, 5 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

VND14NV04-E 数据手册 (31 页)

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原理图在5 页

VND14NV04-E 数据手册 (31 页)

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1 封装信息

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VND14NV04-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

输出接口数

1 Output

输出电流

18 A

供电电流

0.1 mA

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.035 Ω

极性

N-Channel

功耗

74 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

40.0 V

连续漏极电流(Ids)

7.00 A

输出电流(Max)

12 A

输出电流(Min)

12 A

输入数

1 Input

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

74000 mW

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VND14NV04-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

高度

2.4 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VND14NV04-E 符合标准

VND14NV04-E 海关信息

VND14NV04-E 概述

VND14NV04-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

31 页 / 1.11 MByte

VND14NV04-E 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.18 MByte

VND14NV04-E 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

35 页 / 0.84 MByte

VND14NV04-E 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.21 MByte

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