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器件3D模型
¥ 12.951
VND14NV04-E 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
描述:
STMICROELECTRONICS VND14NV04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 55 V, 35 mohm, 5 V, 2.5 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
VND14NV04-E 数据手册 (31 页)
封装尺寸
在
24 页
25 页
26 页
27 页
28 页
29 页
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在
5 页
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电气规格
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VND14NV04-E 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
输出接口数
1 Output
输出电流
18 A
供电电流
0.1 mA
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.035 Ω
极性
N-Channel
功耗
74 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
40.0 V
连续漏极电流(Ids)
7.00 A
输出电流(Max)
12 A
输出电流(Min)
12 A
输入数
1 Input
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
74000 mW
查看数据手册 >
VND14NV04-E 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
高度
2.4 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
VND14NV04-E 符合标准
VND14NV04-E 海关信息
VND14NV04-E 概述
●
电源开关/驱动器 1:1 N 通道 12A DPAK
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