￥ 1.993

VND5N07 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

TO-252-3

描述:

？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VND5N07 数据手册 (24 页)

原理图在5 页

VND5N07 数据手册 (24 页)

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VND5N07 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

70.0 V

额定电流

5.00 A

封装

TO-252-3

输出接口数

1 Output

供电电流

0.25 mA

漏源极电阻

200 mΩ

功耗

60000 mW

漏源击穿电压

70.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.00 A

输出电流(Max)

3.5 A

输出电流(Min)

5 A

耗散功率(Max)

60000 mW

电源电压(Max)

18 V

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VND5N07 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VND5N07 符合标准

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VND5N07 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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