￥ 9.343

VND7N0413TR 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

TO-252-3

描述:

VND7N04系列 N沟道 42 V 0.14 Ohm 自保护功率MOSFET-TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VND7N0413TR 数据手册 (18 页)

封装尺寸在13 页 14 页 15 页

原理图在3 页

VND7N0413TR 数据手册 (18 页)

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VND7N0413TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

42.0 V

额定电流

7.00 A

封装

TO-252-3

输出接口数

1 Output

供电电流

0.25 mA

漏源极电阻

140 mΩ

极性

N-Channel

功耗

60 W

漏源击穿电压

42 V

连续漏极电流(Ids)

7.00 A

输入电压(Max)

18 V

输出电流(Max)

4 A

输出电流(Min)

4 A

输入数

1 Input

耗散功率(Max)

60000 mW

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VND7N0413TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VND7N0413TR 符合标准

VND7N0413TR 海关信息

VND7N0413TR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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VND7N0413 数据手册

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VND7N04系列 N沟道 42 V 0.14 Ohm 自保护功率MOSFET-TO-252-3

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