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VND7NV04-1-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

TO-251-3

描述:

OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VND7NV04-1-E 数据手册 (37 页)

原理图在6 页

VND7NV04-1-E 数据手册 (37 页)

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VND7NV04-1-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

输出接口数

1 Output

供电电流

0.1 mA

漏源极电阻

60.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

60 W

漏源击穿电压

42 V

连续漏极电流(Ids)

6.00 A

输出电流(Max)

6 A

输出电流(Min)

6 A

输入数

1 Input

耗散功率(Max)

60000 mW

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VND7NV04-1-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VND7NV04-1-E 符合标准

VND7NV04-1-E 海关信息

VND7NV04-1-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

37 页 / 0.44 MByte

VND7NV04-1-E 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

35 页 / 0.84 MByte

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â ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET âOMNIFET IIâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

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