￥ 1.233

VND7NV04TR-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

STMICROELECTRONICS VND7NV04TR-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 45 V, 0.06 ohm, 5 V, 500 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VND7NV04TR-E 数据手册 (37 页)

原理图在6 页

VND7NV04TR-E 数据手册 (37 页)

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VND7NV04TR-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

输出接口数

1 Output

输出电流

9 A

供电电流

0.1 mA

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.06 Ω

极性

N-Channel

功耗

60 W

阈值电压

500 mV

漏源极电压(Vds)

45 V

漏源击穿电压

40.0 V

连续漏极电流(Ids)

6.00 A

输出电流(Max)

6 A

输出电流(Min)

6 A

输入数

1 Input

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

60000 mW

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VND7NV04TR-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VND7NV04TR-E 符合标准

VND7NV04TR-E 海关信息

VND7NV04TR-E 概述