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VND810MSPTR-E
51.13
VND810MSPTR-E 数据手册 (20 页)
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VND810MSPTR-E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
12 Pin
封装
PowerSO-10
输出接口数
2 Output
供电电流
0.012 mA
功耗
52000 mW
输出电流(Max)
600 mA
输出电流(Min)
0.6 A
耗散功率(Max)
52000 mW

VND810MSPTR-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

VND810MSPTR-E 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 0.7 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
28 页 / 1.21 MByte

VND810 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
ST Microelectronics(意法半导体)
VND810P-E 系列 36 V 表面贴装 双通道 高压侧 驱动器 - SOIC-16
ST Microelectronics(意法半导体)
双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
ST Microelectronics(意法半导体)
双通道高侧驱动器 Double channel high-side driver
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
ST Microelectronics(意法半导体)
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