￥ 0.581

VNP10N07 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

电源管理

封装:

TO-220-3

描述:

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制热关闭短路保护 ESD 保护一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

VNP10N07 数据手册 (11 页)

原理图在1 页

VNP10N07 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

VNP10N07 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

70.0 V

额定电流

10.0 A

封装

TO-220-3

输出接口数

1 Output

输出电流

7 A

漏源极电阻

100 mΩ

极性

N-Channel

功耗

50 W

漏源击穿电压

70.0 V

连续漏极电流(Ids)

10.0 A

输出电流(Max)

7 A

查看数据手册 >

VNP10N07 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

15.75 mm

查看数据手册 >

VNP10N07 符合标准

VNP10N07 海关信息

VNP10N07 概述

VNP10N07 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

11 页 / 0.36 MByte

VNP10 数据手册

VNP10N07-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS VNP10N07-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 70 V, 100 mohm, 10 V, 3 V

VNP10N06-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

VNP10N06 系列 60 V 10 A 0.3 Ohm 完全汽车保护功率 Mosfet - TO-220-3

VNP10N07 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

VNP10N06FI 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

ISO高侧智能功率固态继电器 ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY

VNP10N07FI 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

VNP10N06 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

VNP10N07FI-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

VNP10N06FI-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号