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VNP35N07-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS VNP35N07-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VNP35N07-E 数据手册 (2 页)

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VNP35N07-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

125 W

输出接口数

1 Output

输出电流

35 A

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.028 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

80 V

漏源击穿电压

70.0 V

连续漏极电流(Ids)

18.0 A

输入电压(Max)

18 V

输出电流(Max)

25 A

输出电流(Min)

35 A

输入数

1 Input

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125000 mW

输入电压

18 V

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VNP35N07-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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VNP35N07-E 符合标准

VNP35N07-E 海关信息

VNP35N07-E 概述