器件3D模型

￥ 9.233

VNS3NV04D 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

电源管理

封装:

SOIC-8

描述:

“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VNS3NV04D 数据手册 (14 页)

原理图在1 页

VNS3NV04D 数据手册 (14 页)

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VNS3NV04D 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

输出接口数

2 Output

供电电流

0.1 mA

通道数

2 Channel

漏源极电阻

120 mΩ

功耗

4000 mW

漏源击穿电压

45.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.50 A

输出电流(Max)

3.5 A

输出电流(Min)

3.5 A

耗散功率(Max)

4000 mW

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VNS3NV04D 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VNS3NV04D 符合标准

VNS3NV04D 海关信息

VNS3NV04D 概述

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ST Microelectronics（意法半导体）

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