器件3D模型

￥ 1.008

VNS3NV04DTR-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

开关电源

封装:

SOIC-8

描述:

OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VNS3NV04DTR-E 数据手册 (21 页)

封装尺寸在18 页

原理图在5 页

VNS3NV04DTR-E 数据手册 (21 页)

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VNS3NV04DTR-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

输出接口数

2 Output

漏源极电阻

120 mΩ

极性

N-Channel

功耗

4.00 W

漏源击穿电压

45.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.50 A

输出电流(Max)

3.5 A

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VNS3NV04DTR-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VNS3NV04DTR-E 符合标准

VNS3NV04DTR-E 海关信息

VNS3NV04DTR-E 概述

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