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VP2106N3-G
0.307
VP2106N3-G 数据手册 (5 页)
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VP2106N3-G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-92-3
额定功率
1 W
通道数
1 Channel
漏源极电阻
12.0 Ω
极性
P-Channel
功耗
0.74 W
阈值电压
1.5 V
栅源击穿电压
±20.0 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

VP2106N3-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bag
宽度
4.19 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

VP2106N3-G 数据手册

Supertex(超科)
5 页 / 0.61 MByte
Supertex(超科)
5 页 / 0.56 MByte

VP2106N3 数据手册

Microchip(微芯)
Supertex P 通道增强模式 MOSFET 晶体管Microchip 的 Supertex 系列 P 通道增强模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管,Microchip
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