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VP2106N3-G P013 数据手册 - Microchip（微芯）

制造商:

Microchip（微芯）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VP2106N3-G P013 数据手册 (6 页)

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VP2106N3-G P013 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-92-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

15 Ω

功耗

740 mW

漏源击穿电压

60 V

上升时间

5 ns

下降时间

4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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VP2106N3-G P013 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

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VP2106N3-G P013 符合标准

VP2106N3-G P013 数据手册

Microchip（微芯）

6 页 / 0.45 MByte

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