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VT6M1T2CR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SMD-6

描述:

VT6M1 系列 20 V 100 mA 3.5 Ohm 表面贴装 N/P-沟道 Mosfet - VMT6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VT6M1T2CR 数据手册 (19 页)

典型应用电路图在18 页

VT6M1T2CR 数据手册 (19 页)

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VT6M1T2CR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SMD-6

通道数

2 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

2.5 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

150 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

±20 V

连续漏极电流(Ids)

0.1A

输入电容值(Ciss)

7.1pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

120 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150 mW

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VT6M1T2CR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

1.24 mm

宽度

1.02 mm

高度

0.6 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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VT6M1T2CR 符合标准

VT6M1T2CR 概述

VT6M1T2CR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

19 页 / 3.62 MByte

VT6M1T2CR 产品设计参考手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

67 页 / 2.17 MByte

VT6M1T2CR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

31 页 / 0.41 MByte

VT6M1T2 数据手册

VT6M1T2CR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

VT6M1 系列 20 V 100 mA 3.5 Ohm 表面贴装 N/P-沟道 Mosfet - VMT6

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