XP3312 数据手册 - Panasonic（松下）

●Q1 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V \---|--- Q1集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V Q1集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 100MA Q2 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V Q2集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -50V Q2集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -100MA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 22KΩ Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 22KΩ Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio | 1 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 22KΩ Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 22KΩ Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) Q1/Q2 | 60 / 60 截止频率fT Transtion Frequency(fT) Q1/Q2 | 150MHZ / 80MHZ 耗散功率Pc Power Dissipation | 150MW/0.15W Description & Applications | Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr1) Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr2) For switching/digital circuits UN1212+UN1112 描述与应用 | 　硅NPN型外延刨床晶体管(Tr1) 　　硅PNP型外延刨床晶体管(Tr2) 　　开关/数字电路 　　UN1212 + UN1112