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ZVN2106A
0.18
ZVN2106A 数据手册 (3 页)
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ZVN2106A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
450 mA
封装
TO-92-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
2 Ω
极性
N-Channel
功耗
700 mW
阈值电压
2.4 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
450 mA
输入电容值(Ciss)
75pF @18V(Vds)
额定功率(Max)
700 mW
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
700mW (Ta)

ZVN2106A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 150℃

ZVN2106A 数据手册

Diodes(美台)
3 页 / 0.04 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
2 页 / 0.05 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.14 MByte

ZVN2106 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
DIODES INC.  ZVN2106A  晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes(美台)
60V,710mA,2Ω,单N沟道功率MOSFET
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZVN2106G  晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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