￥ 0.211

ZVN2106GTA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

60V,710mA,2Ω,单N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZVN2106GTA 数据手册 (5 页)

封装尺寸在4 页

ZVN2106GTA 数据手册 (5 页)

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ZVN2106GTA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

710 mA

封装

TO-261-4

额定功率

2 W

漏源极电阻

2.00 Ω

极性

N-Channel

功耗

2 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

710 mA

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

75pF @18V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta)

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ZVN2106GTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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ZVN2106GTA 符合标准

ZVN2106GTA 海关信息

ZVN2106GTA 数据手册

Diodes（美台）

5 页 / 0.28 MByte

ZVN2106GTA 其他数据使用手册

Diodes（美台）

183 页 / 0.63 MByte

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