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ZVN2106GTC
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ZVN2106GTC 数据手册 (5 页)
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ZVN2106GTC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
710 mA
封装
TO-261-4
漏源极电阻
2.00 Ω
极性
N-Channel
功耗
2W (Ta)
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
710 mA
上升时间
8.00 ns
输入电容值(Ciss)
75pF @18V(Vds)
耗散功率(Max)
2W (Ta)

ZVN2106GTC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZVN2106GTC 数据手册

Diodes(美台)
5 页 / 0.28 MByte

ZVN2106 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
DIODES INC.  ZVN2106A  晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes(美台)
60V,710mA,2Ω,单N沟道功率MOSFET
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZVN2106G  晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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