￥ 0.266

ZVN2110ASTZ 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

描述:

场效应管(MOSFET) ZVN2110ASTZ EP3SC

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZVN2110ASTZ 数据手册 (3 页)

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ZVN2110ASTZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

230 mA

封装

TO-92-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

4.00 Ω

极性

N-Channel

功耗

0.7 W

输入电容

75.0 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

320 mA

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

75pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

700mW (Ta)

查看数据手册 >

ZVN2110ASTZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Box

宽度

2.41 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

ZVN2110ASTZ 符合标准

ZVN2110ASTZ 数据手册

Diodes（美台）

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