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ZVN2110G
0.46
ZVN2110G 数据手册 (3 页)
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ZVN2110G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-223
针脚数
3 Position
漏源极电阻
4 Ω
极性
N-Channel
功耗
2 W
阈值电压
2.4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
500 mA
工作温度(Max)
150 ℃

ZVN2110G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)

ZVN2110G 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
3 页 / 0.07 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.05 MByte

ZVN2110 数据手册

Diodes(美台)
ZVN2110A 系列 100 V 4 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET- TO-92
Diodes(美台)
ZVN2110G 系列 100 V 4 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET-SOT-223
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) ZVN2110ASTZ EP3SC
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZVN2110G  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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