￥ 0.235

ZVN2110GTA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

ZVN2110G 系列 100 V 4 Ohm N 沟道增强模式垂直 DMOS FET-SOT-223

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

ZVN2110GTA 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

ZVN2110GTA 数据手册 (6 页)

查看文档

或点击图片查看大图

ZVN2110GTA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

500 mA

封装

TO-261-4

漏源极电阻

4.00 Ω

极性

N-Channel

功耗

2 W

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

500 mA

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

75pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

查看数据手册 >

ZVN2110GTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.7 mm

宽度

3.7 mm

高度

1.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

ZVN2110GTA 符合标准

ZVN2110GTA 海关信息

ZVN2110GTA 数据手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.52 MByte

ZVN2110GTA 其他数据使用手册

Diodes（美台）

183 页 / 0.63 MByte

ZVN2110GTA 其他参考文件

Diodes（美台）

1 页 / 0.15 MByte

ZVN2110 数据手册

ZVN2110A 数据手册

Diodes（美台）

ZVN2110A 系列 100 V 4 Ohm N 沟道增强模式垂直 DMOS FET- TO-92

ZVN2110GTA 数据手册

Diodes（美台）

ZVN2110G 系列 100 V 4 Ohm N 沟道增强模式垂直 DMOS FET-SOT-223

ZVN2110ASTZ 数据手册

Diodes（美台）

场效应管(MOSFET) ZVN2110ASTZ EP3SC

ZVN2110A 数据手册

Zetex

ZVN2110G 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

DIODES INC. ZVN2110G 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 V

ZVN2110G 数据手册

Diodes（美台）

晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 V

ZVN2110ASTZ 数据手册

Zetex

ZVN2110GTA 数据手册

Diodes Zetex（捷特科）

N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

ZVN2110C 数据手册

Zetex

ZVN2110ASTZ 数据手册

Diodes Zetex（捷特科）

N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号