￥ 1.478

ZVN3306A 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

TO-226-3

描述:

ZVN3306A 系列 60 V 5 Ohm N-沟道增强模式垂直 DMOS FET- TO-92

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZVN3306A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

270 mA

封装

TO-226-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

5 Ω

极性

N-Channel

功耗

625 mW

阈值电压

2.4 V

输入电容

35.0 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

270 mA

上升时间

7.00 ns

输入电容值(Ciss)

35pF @18V(Vds)

额定功率(Max)

625 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

625mW (Ta)

查看数据手册 >

ZVN3306A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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ZVN3306A 符合标准

ZVN3306A 数据手册

Diodes（美台）

3 页 / 0.07 MByte

ZVN3306A 其他数据使用手册

Diodes（美台）

183 页 / 0.63 MByte

ZVN3306A 产品设计图

Diodes（美台）

1 页 / 0.08 MByte

ZVN3306A 其他参考文件

Diodes（美台）

1 页 / 0.14 MByte

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