￥ 0.213

ZVN3310A 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

描述:

三极管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

或点击图片查看大图

ZVN3310A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

200 mA

封装

TO-92-3

额定功率

0.625 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

10 Ω

极性

N-Channel

功耗

625 mW

阈值电压

2.4 V

输入电容

40.0 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

200 mA

上升时间

7.00 ns

输入电容值(Ciss)

40pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

625 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

ZVN3310A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

ZVN3310A 符合标准

ZVN3310A 概述

ZVN3310A 数据手册

Diodes（美台）

3 页 / 0.06 MByte

ZVN3310A 其他数据使用手册

Diodes（美台）

183 页 / 0.63 MByte

ZVN3310A 其他参考文件

Diodes（美台）

1 页 / 0.15 MByte

ZVN3310 数据手册

ZVN3310FTA 数据手册

Diodes（美台）

ZVN3310FTA 编带

ZVN3310A 数据手册

Diodes（美台）

三极管

ZVN3310A 数据手册

Zetex

ZVN3310F 数据手册

Diodes（美台）

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 100 V, 10 ohm, 10 V, 2.4 V

ZVN3310ASTZ 数据手册

Diodes（美台）

ZVN3310F 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

DIODES INC. ZVN3310F 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 100 V, 10 ohm, 10 V, 2.4 V

ZVN3310FTA 数据手册

Zetex

ZVN3310FTA N沟道MOSFET 100V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 MF 高速开关/低导通电阻

ZVN3310FTA 数据手册

Diodes Zetex（捷特科）

N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

ZVN3310A 数据手册

Diodes Zetex（捷特科）

N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

ZVN3310ASTOA 数据手册

Zetex

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号