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ZVN3310ASTOA
0.363
ZVN3310ASTOA 数据手册 (3 页)
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ZVN3310ASTOA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
100 V
额定电流
200 mA
封装
E-Line-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
10 Ω
极性
N-Channel
功耗
625 mW
输入电容
40.0 pF
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
200 mA
上升时间
7 ns
输入电容值(Ciss)
40pF @25V(Vds)
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
625mW (Ta)

ZVN3310ASTOA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZVN3310ASTOA 数据手册

Diodes(美台)
3 页 / 0.08 MByte

ZVN3310 数据手册

Diodes(美台)
ZVN3310FTA 编带
Diodes(美台)
三极管
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 100 V, 10 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZVN3310F  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 100 V, 10 ohm, 10 V, 2.4 V
Zetex
ZVN3310FTA N沟道MOSFET 100V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 MF 高速开关/低导通电阻
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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