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ZVN4206AV
0.272
ZVN4206AV 数据手册 (3 页)
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ZVN4206AV 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
600 mA
封装
TO-92-3
额定功率
0.7 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.5 Ω
极性
N-Channel
功耗
700 mW
阈值电压
3 V
输入电容
100 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
600 mA
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
100pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
700 mW
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
700mW (Ta)

ZVN4206AV 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
4.77 mm
宽度
2.41 mm
高度
4.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZVN4206AV 数据手册

Diodes(美台)
3 页 / 0.09 MByte
Diodes(美台)
293 页 / 0.91 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.08 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.15 MByte

ZVN4206 数据手册

Diodes(美台)
ZVN4206A 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - TO-92
Diodes(美台)
ZVN4206GTA 编带
Diodes(美台)
三极管
Diodes(美台)
ZVN4206G 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET SOT-223
Diodes(美台)
Diodes(美台)
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZVN4206G  晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 60 V, 1.5 ohm, 10 V, 3 V
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