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ZVN4310GTA
0.476
ZVN4310GTA 数据手册 (2 页)
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ZVN4310GTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
1.70 A
封装
TO-261-4
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.4 Ω
极性
N-Channel
功耗
3 W
阈值电压
1 V
输入电容
350 pF
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.67 A
上升时间
25 ns
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3 W
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3W (Ta)

ZVN4310GTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZVN4310GTA 数据手册

Diodes(美台)
2 页 / 0.04 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.15 MByte

ZVN4310 数据手册

Zetex
ZVN4310 N沟道MOSFET 100V 900mA/0.9A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 ZVN4310 高速开关/低导通电阻
Diodes(美台)
ZVN4310GTA 编带
Diodes(美台)
ZVN4310A 系列 100 V 0.5 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET-TO-92
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
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