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ZVP2106A
0.35
ZVP2106A 数据手册 (4 页)
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ZVP2106A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-280 mA
封装
TO-92-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
4 Ω
极性
P-Channel
功耗
700 mW
阈值电压
3.5 V
输入电容
100 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
320 mA
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
100pF @18V(Vds)
额定功率(Max)
700 mW
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
700 mW

ZVP2106A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

ZVP2106A 数据手册

Diodes(美台)
4 页 / 0.08 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.08 MByte
Diodes(美台)
3 页 / 0.07 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.14 MByte

ZVP2106 数据手册

Diodes(美台)
DIODES INC.  ZVP2106A  晶体管, MOSFET, P沟道, -280 mA, -60 V, 4 ohm, -10 V, -3.5 V
Diodes(美台)
P沟道 60V 450mA
Diodes(美台)
通孔-P-通道-60V-280mA(Ta)-700mW(Ta)-E-Line(TO-92-兼容)
Diodes(美台)
DIODES INC.  ZVP2106G  晶体管, MOSFET, P沟道, 450 mA, -60 V, 5 ohm, -10 V, -3.5 V
Zetex
ZVP2106GTA P沟道MOS场效应管 -60V -450mA 5ohm SOT-223 marking/标记 zvp2106
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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