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ZVP2110GTC
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ZVP2110GTC 数据手册 (5 页)
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ZVP2110GTC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-350 mA
封装
SOT-223-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
8 Ω
极性
P-Channel
功耗
2 W
输入电容
100 pF
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
310 mA
上升时间
15 ns
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
2W (Ta)

ZVP2110GTC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)

ZVP2110GTC 数据手册

Diodes(美台)
5 页 / 0.6 MByte
Diodes(美台)
2 页 / 0.1 MByte

ZVP2110 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
ZVP2110A 袋装
Diodes(美台)
ZVP2110GTA 编带
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,100V 至 450V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,100V 至 450V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
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