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ZVP3306A
0.276
ZVP3306A 数据手册 (3 页)
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ZVP3306A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-160 mA
封装
TO-92-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
14 Ω
极性
P-Channel
功耗
625 mW
阈值电压
3.5 V
输入电容
50.0 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
160 mA
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
50pF @18V(Vds)
额定功率(Max)
625 mW
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625mW (Ta)

ZVP3306A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
4.77 mm
宽度
2.41 mm
高度
4.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

ZVP3306A 数据手册

Diodes(美台)
3 页 / 0.05 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.08 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.14 MByte

ZVP3306 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
ZVP3306FTA 编带
Diodes(美台)
ZVP3306A 系列 60 V 14 Ohm P 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - TO-92
Zetex
DS(ON)=5ΩPARTMARKING详细信息: - ZVP2106互补型: - ZVN2106G
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, P沟道, 90 mA, -60 V, 14 ohm, -10 V, -3.5 V
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZVP3306F  晶体管, MOSFET, P沟道, 90 mA, -60 V, 14 ohm, -10 V, -3.5 V
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
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