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ZVP3306FTC
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ZVP3306FTC 数据手册 (2 页)
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ZVP3306FTC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-90.0 mA
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
14.0 Ω
极性
P-Channel
功耗
330 mW
输入电容
50.0 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
90.0 mA
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
50pF @18V(Vds)
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
330mW (Ta)

ZVP3306FTC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZVP3306FTC 数据手册

Diodes(美台)
2 页 / 0.11 MByte
Diodes(美台)
2 页 / 0.1 MByte

ZVP3306 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
ZVP3306FTA 编带
Diodes(美台)
ZVP3306A 系列 60 V 14 Ohm P 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - TO-92
Zetex
DS(ON)=5ΩPARTMARKING详细信息: - ZVP2106互补型: - ZVN2106G
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, P沟道, 90 mA, -60 V, 14 ohm, -10 V, -3.5 V
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZVP3306F  晶体管, MOSFET, P沟道, 90 mA, -60 V, 14 ohm, -10 V, -3.5 V
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
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