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ZVP4105ASTOB
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ZVP4105ASTOB 数据手册 (1 页)
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ZVP4105ASTOB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-175 mA
封装
E-Line-3
漏源极电阻
10.0 Ω
极性
P-Channel
功耗
625mW (Ta)
输入电容
40.0 pF
漏源极电压(Vds)
50 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
175 mA
上升时间
10.0 ns
输入电容值(Ciss)
40pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
625mW (Ta)

ZVP4105ASTOB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape, Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZVP4105ASTOB 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
1 页 / 0.04 MByte

ZVP4105 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZVP4105A  晶体管, MOSFET, P沟道, 170 mA, -50 V, 10 ohm, -5 V, -2 V
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, P沟道, 170 mA, -50 V, 10 ohm, -5 V, -2 V
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes Zetex(捷特科)
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