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ZVP4424ASTZ
0.512
ZVP4424ASTZ 数据手册 (3 页)
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ZVP4424ASTZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-240 V
额定电流
-200 mA
封装
TO-92-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
11.0 Ω
极性
P-Channel
功耗
750 mW
阈值电压
2 V
输入电容
18.0 pF
漏源极电压(Vds)
240 V
栅源击穿电压
±40.0 V
连续漏极电流(Ids)
200 mA
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
100pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
750 mW
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
750 mW

ZVP4424ASTZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
宽度
2.41 mm
高度
4.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

ZVP4424ASTZ 数据手册

Diodes(美台)
3 页 / 0.11 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte

ZVP4424 数据手册

Diodes(美台)
ZVP4424 系列 P 沟道 240 V 1 A 750 mW 垂直 DMOS FET - TO-92
Diodes(美台)
ZVP4424GTA 编带
Diodes(美台)
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) ZVP4424ZTA SOT-89-3
Zetex
ZVP4424GTA P沟道MOS场效应管 -240V -480mA 7.1ohm SOT-223 marking/标记 ZVP4424 快速开关
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, P沟道, 480 mA, -240 V, 11 ohm, -10 V, -1.4 V
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,100V 至 450V,Diodes Inc
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZVP4424G  晶体管, MOSFET, P沟道, 480 mA, -240 V, 11 ohm, -10 V, -1.4 V
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,100V 至 450V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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