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ZXM61P03FTA
0.061
ZXM61P03FTA 数据手册 (7 页)
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ZXM61P03FTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-1.10 A
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
550 mΩ
极性
P-Channel
功耗
0.806 W
输入电容
140 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.10 A
上升时间
2.9 ns
输入电容值(Ciss)
140pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
625 mW
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625mW (Ta)

ZXM61P03FTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXM61P03FTA 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.27 MByte
Diodes(美台)
293 页 / 0.91 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.49 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.18 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.14 MByte

ZXM61P03 数据手册

Diodes(美台)
ZXM61P03FTA 编带
Zetex
ZXM61P03FTA P沟道MOS场效应管 -30V -1.1A 0.35ohm SOT-23 marking/标记 P03 低导通电阻 快速开关
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 0.35 ohm, 10 V, -1 V
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,30V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZXM61P03F  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 350 mohm, 10 V, -1 V
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
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