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Datasheet 搜索 > MOS管 > Diodes(美台) > ZXMC10A816N8TC Datasheet 文档
ZXMC10A816N8TC
器件3D模型
0.495
ZXMC10A816N8TC 数据手册 (11 页)
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ZXMC10A816N8TC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2.4 W
极性
N+P
功耗
2.1 W
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
2.1A/2.2A
输入电容值(Ciss)
497pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
1.8 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.8 W

ZXMC10A816N8TC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMC10A816N8TC 数据手册

Diodes(美台)
11 页 / 0.33 MByte
Diodes(美台)
293 页 / 0.91 MByte
Diodes(美台)
12 页 / 0.7 MByte
Diodes(美台)
10 页 / 0.27 MByte
Diodes(美台)
10 页 / 0.28 MByte

ZXMC10A816N8 数据手册

Diodes(美台)
Diodes(美台)
ZXMC10A816N8TC 编带
Diodes Zetex(捷特科)
N/P 通道 MOSFET,Diodes Inc.### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
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