器件3D模型

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ZXMC3A17DN8 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZXMC3A17DN8 数据手册 (10 页)

封装尺寸在10 页

ZXMC3A17DN8 数据手册 (10 页)

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ZXMC3A17DN8 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

漏源极电阻

65.0 mΩ

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.40 A

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ZXMC3A17DN8 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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ZXMC3A17DN8 符合标准

ZXMC3A17DN8 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

10 页 / 0.29 MByte

ZXMC3A17DN8 产品封装文件

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10 页 / 0.26 MByte

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