器件3D模型

￥ 0.328

ZXMHC3A01N8TC 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

ZXMHC3A01N8 30 V 125 Ohm N/P 沟道增强模式 MOSFET H-桥 - SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

ZXMHC3A01N8TC 数据手册 (20 页)

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ZXMHC3A01N8TC 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

极性

N+P

功耗

1.36 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

2.72A/2.06A

上升时间

2.3 ns

输入电容值(Ciss)

190pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

870 mW

下降时间

2.9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1360 mW

ZXMHC3A01N8TC 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMHC3A01N8TC 符合标准

ZXMHC3A01N8TC 海关信息

ZXMHC3A01N8TC 概述

ZXMHC3A01N8TC 数据手册

ZXMHC3A01N8TC 其他数据使用手册

Diodes（美台）

20 页 / 1.49 MByte

ZXMHC3A01N8TC 产品描述及参数

Diodes（美台）

11 页 / 0.7 MByte

ZXMHC3A01N8TC 产品封装文件

Diodes（美台）

8 页 / 0.17 MByte

ZXMHC3A01N8 数据手册

ZXMHC3A01N8TC 数据手册

Diodes（美台）

ZXMHC3A01N8 30 V 125 Ohm N/P 沟道增强模式 MOSFET H-桥 - SOIC-8

ZXMHC3A01N8TC 数据手册

Diodes Zetex（捷特科）

MOSFET H 桥接，Diodes Inc.### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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