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ZXMN3A01E6
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ZXMN3A01E6 数据手册 (7 页)
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ZXMN3A01E6 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-6
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
3A

ZXMN3A01E6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

ZXMN3A01E6 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
7 页 / 0.59 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
7 页 / 0.22 MByte

ZXMN3A01 数据手册

Diodes(美台)
N沟道,Vdss=30V,Idss=1.8A
Diodes(美台)
N沟道 30V 2.4A
Diodes(美台)
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 0.12 ohm, 10 V, 1 V
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,30V,Diodes Inc
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZXMN3A01F  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 120 mohm, 10 V, 1 V
Vishay Semiconductor(威世)
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