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ZXMN3A01FTA
0.09
ZXMN3A01FTA 数据手册 (20 页)
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ZXMN3A01FTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
1.80 A
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
180 mΩ
极性
N-Channel
功耗
0.806 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.80 A
上升时间
2.3 ns
输入电容值(Ciss)
190pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
625 mW
下降时间
2.9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625mW (Ta)

ZXMN3A01FTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMN3A01FTA 数据手册

Diodes(美台)
20 页 / 1.49 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.52 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.18 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.17 MByte

ZXMN3A01 数据手册

Diodes(美台)
N沟道,Vdss=30V,Idss=1.8A
Diodes(美台)
N沟道 30V 2.4A
Diodes(美台)
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 0.12 ohm, 10 V, 1 V
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,30V,Diodes Inc
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZXMN3A01F  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 120 mohm, 10 V, 1 V
Vishay Semiconductor(威世)
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