￥ 0.32

ZXMN4A06GTA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

ZXMN4A06GTA 编带

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

ZXMN4A06GTA 数据手册 (7 页)

封装尺寸在7 页

ZXMN4A06GTA 数据手册 (7 页)

查看文档

或点击图片查看大图

ZXMN4A06GTA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

40.0 V

额定电流

6.70 A

封装

TO-261-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.05 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.9 W

阈值电压

1 V

输入电容

770 pF

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

7.00 A

上升时间

4.45 ns

输入电容值(Ciss)

770pF @40V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

7.35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta)

查看数据手册 >

ZXMN4A06GTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.55 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

ZXMN4A06GTA 符合标准

ZXMN4A06GTA 概述

ZXMN4A06GTA 数据手册

Diodes（美台）

7 页 / 0.15 MByte

ZXMN4A06GTA 其他数据使用手册

Diodes（美台）

293 页 / 0.91 MByte

ZXMN4A06GTA 开发手册

Diodes（美台）

7 页 / 0.66 MByte

ZXMN4A06GTA 产品封装文件

Diodes（美台）

9 页 / 0.54 MByte

ZXMN4A06GTA 其他参考文件

Diodes（美台）

1 页 / 0.17 MByte

ZXMN4A06 数据手册

ZXMN4A06GTA 数据手册

Diodes（美台）

ZXMN4A06GTA 编带

ZXMN4A06GTA 数据手册

Zetex

ZXMN4A06KTC 数据手册

Diodes（美台）

场效应管(MOSFET) ZXMN4A06KTC TO-252

ZXMN4A06KTC 数据手册

Zetex

ZXMN4A06GTA 数据手册

Diodes Zetex（捷特科）

N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

ZXMN4A06K 数据手册

Diodes（美台）

DIODES INC. ZXMN4A06K 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 40 V, 50 mohm, 10 V, 1 V

ZXMN4A06G 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

ZXMN4A06GTC 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

ZXMN4A06GQTA 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号